| 发明名称 | 一种原位自生长的超低反射率材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种铜金属基原位自生长的CuO纳米线阵列超低反射率材料及其制备方法，属于超低反射率材料制备技术领域。首先对Cu金属基片(基片厚度0.2～20mm)的上、下表面用酒精棉擦拭8～20次使表面光滑和洁净；再将上述Cu金属基片在空气气氛中，以0.01～5℃/分钟的升温速度加热至410～490℃，反应2h～7d，然后以0.1～5℃/分钟的降温速度降至室温，从而得到Cu金属基原位自生长的CuO纳米线阵列超低反射率材料。原料铜基底不需抛光，前处理方便。制备过程简单，一步合成，无污染，原料简单，成本低，阵列参数可调，易获得超低反射率。该材料能有效提高太阳能集热管的吸光效率，增强光学仪器的精密度。对能源与光学领域的发展有着重要意义。 | ||
| 申请公布号 | CN106382757A | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
| 申请号 | CN201610767489.4 | 申请日期 | 2016.08.30 |
| 申请人 | 吉林大学 | 发明人 | 冯守华;王兴利;吴小峰;黄科科;袁龙;付蓉 |
| 分类号 | F24J2/48(2006.01)I;G02B5/08(2006.01)I;C01G3/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | F24J2/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人 | 刘世纯;王恩远 |
| 主权项 | 一种原位自生长的超低反射率材料，其特征在于：从底部往外分别是紧贴于Cu金属基片的Cu<sub>2</sub>O层、CuO层和CuO纳米线阵列结构层；纳米线阵列结构层的厚度为5.2μm～40.3μm，直径分布在45～247nm，纳米线几乎垂直于Cu金属基片。 | ||
| 地址 | 130012 吉林省长春市前进大街2699号 | ||