一种台面型探测器芯片

摘要

本实用新型提供了一种台面型探测器芯片，采用PIN结构，包括：一衬底；在衬底上制作的N型InP缓冲层、N型掺杂InP层、InGaAs吸收层、InGaAs渐变层、P型掺杂InP层以及InGaAs欧姆接触层；在PIN结构的P型区域两侧采用离子注入进行隔离形成的高阻区，实现侧向PN结的抑制；在高阻区外侧制作的台面型结构；在台面型结构上采用PECVD生长SiO2和SiNx混合保护层；在欧姆接触层上制作的P电极，在同一平面制作N电极。本实用新型提供的台面型探测器芯片减少了芯片本征电容及相关寄生参数，可以相应扩大探测器芯片的光接收区域的面积，提高与光纤耦合效率，实现了应用中的高灵敏度。同时，避免了传统台面探测器复杂的侧面聚合物钝化工艺，并且实现了更小的暗电流。

主权项

一种台面型探测器芯片，采用PIN结构，其特征在于，包括：一衬底；在所述衬底上制作的N型InP缓冲层、N型掺杂InP层、u‑InGaAs吸收层、InGaAs渐变层、P型掺杂InP层以及InGaAs欧姆接触层；在所述PIN结构的P型区域两侧采用离子注入进行隔离形成的高阻区，实现侧向PN结的抑制；在所述高阻区外侧制作的台面型结构；生长在所述台面型结构上的SiO2和SiNx混合保护层；以及N电极和在所述欧姆接触层上制作的P电极。