METHOD OF PROCESSING SYNTHETIC QUARTZ GLASS SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR

摘要

본 발명은 회전형 소형 가공 툴의 연마 가공부를 반도체용 합성 석영 유리 기판 표면에 1 내지 500 ㎟의 접촉 면적으로 접촉시키고, 기판 표면 상을 상기 연마 가공부를 회전시키면서 주사시켜 기판 표면을 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체용 합성 석영 유리 기판의 가공 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, IC 등의 제조에 중요한 광리소그래피법에서 사용되는 포토마스크 기판용 합성 석영 유리 기판 등의 합성 석영 유리의 제조에 있어서, 비교적 간편하고 또한 염가의 방법으로 EUV 리소그래피에도 대응 가능한 평탄도가 매우 높은 기판을 얻을 수 있다.