用脉冲等离子体进行的原子层蚀刻

摘要

本发明提供了一种快速原子层蚀刻(ALET)的系统和方法，该系统包括具有螺旋线圈电极的脉冲等离子体源、冷却法拉第屏蔽、设置在管顶部的对向电极、气体入口、以及包括衬底支撑件和边界电极的反应室。该方法包括：将可蚀刻的衬底设置在等离子体蚀刻室中；在衬底表面上形成产物层；通过脉动等离子体源来去除产物层的一部分；然后重复形成产物层的步骤和去除产物层的一部分的步骤，以形成经蚀刻的衬底。

主权项

一种用于原子层蚀刻的系统，包括：脉冲等离子体源，其包括：螺旋线圈电极，其围绕管设置；入口，其与工艺气体源流体连通；以及反应室，其与所述脉冲等离子体源流体连通，其中所述反应室包括：衬底支撑件；对向电极；以及边界电极，其中，所述对向电极和所述边界电极被配置为接收偏压脉冲，其中，在第一时间段期间RF脉冲被施加到所述等离子体源，随后在第二时间段期间偏压脉冲被施加到所述对向电极，其中，所述第一时间段和第二时间段以交替的方式发生。