| 发明名称 | 磁感应器的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种磁感应器的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成磁性材料层；在所述磁性材料层上形成高阻阻挡层；形成图案化的磁性材料层和图案化的高阻阻挡层。采用本发明的方法形成的磁感应器的各向异性磁电阻相对变化率高。 | ||
| 申请公布号 | CN103824936B | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
| 申请号 | CN201410083737.4 | 申请日期 | 2014.03.07 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 赵波 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张亚利;骆苏华 |
| 主权项 | 一种磁感应器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层的步骤，所述第二刻蚀停止层的厚度远小于第一刻蚀停止层的厚度，第一刻蚀停止层的厚度为1000～3000埃，第二刻蚀停止层的厚度为100～600埃；在第二刻蚀停止层上形成磁性材料层；在所述磁性材料层上形成高阻阻挡层，所述高阻阻挡层的阻值大于等于20000μohmm·cm；形成图案化的磁性材料层和图案化的高阻阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||