发明名称 |
一种等离子体处理装置及其运行方法 |
摘要 |
一种等离子体处理装置,包括:反应腔,反应腔内包括一个基座,基座上设置有静电夹盘,待处理基片设置在所述静电夹盘上;一调节环围绕在所述静电夹盘外围,其中所述调节环包括一个固定环和一个位于固定环上方的移动环,其中:固定环围绕所述静电夹盘或基座,固定环上表面包括一个支持面,支持面上包括一个凹槽,所述移动环包括紧贴静电夹盘并位于待处理基片边缘下方的第一部分,所述第一部分具有第一高度的上表面,一个具有第二高度上表面的第二部分位于所述第一部分外围,所述移动环的第二部分下表面包括一个突出部与下方固定环上的凹槽位置匹配,一个驱动装置驱动所述移动环的第二部分在较低的第一位置和较高的第二位置间上下移动,其中在移动到第二位置时所述突出部下端仍然位于凹槽中。 |
申请公布号 |
CN104752141B |
申请公布日期 |
2017.02.08 |
申请号 |
CN201310751529.2 |
申请日期 |
2013.12.31 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
许颂临;李俊良 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
一种等离子体处理装置,包括:反应腔,反应腔内包括一个基座,基座上设置有静电夹盘,待处理基片设置在所述静电夹盘上;一调节环围绕在所述静电夹盘外围,其中所述调节环包括一个固定环和一个位于固定环上方的移动环,其中:固定环围绕所述静电夹盘或基座,固定环上表面包括一个支持面,支持面上包括一个凹槽,所述移动环的底面形状与所述固定环的支持面匹配,所述移动环包括紧贴静电夹盘并位于待处理基片边缘下方的第一部分,所述第一部分具有第一高度的上表面,一个具有第二高度上表面的第二部分位于所述第一部分外围,所述移动环的第二部分下表面包括一个突出部与下方固定环上的凹槽位置匹配,一个驱动装置驱动所述移动环的第二部分在较低的第一位置和较高的第二位置间上下移动,所述移动环的突出部和所述固定环的凹槽具有垂直的侧壁,且在移动到第二位置时所述突出部侧壁与凹槽内侧壁的间距小于1mm,其中在移动到第二位置时所述突出部下端仍然位于凹槽中。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |