发明名称 |
铜硫基高性能热电材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及铜硫基高性能热电材料及其制备方法,具体是提供了一种新型的p型热电化合物Cu<sub>2‑x</sub>S或Cu<sub>2</sub>S<sub>1‑y</sub>A<sub>y</sub>(A为Se或Te))及其制备方法,此化合物的组成为Cu‑S‑(Se/Te),其中x的值为0.02~0.05,y的值为0.2~0.4。该材料是一种半导体,相比于传统的热电材料,此化合物的组成简单,原料价格低廉,具有较高的塞贝克系数和极低的热导率,热电性能优异,部分组分的热电优值ZT在800K时可达到1.0及以上,具有很好的热电应用前景。 |
申请公布号 |
CN103872237B |
申请公布日期 |
2017.02.08 |
申请号 |
CN201210525982.7 |
申请日期 |
2012.12.07 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
史迅;陈立东;何颖 |
分类号 |
H01L35/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/16(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
郭辉 |
主权项 |
一种制备p型热电化合物的方法,所述方法包括:(1)以通式Cu<sub>2‑x</sub>S或Cu<sub>2</sub>S<sub>1‑y</sub>A<sub>y</sub>的化学计量比分别称量各元素单质作为初始原料,式中,A为Se和/或Te,0<x≤0.05,0<y≤0.4;(2)将初始原料混合后真空封装在石英管中;(3)将初始原料熔融;(4)进行淬火处理,获得淬火后块体;(5)将所述淬火后块体研磨成粉,并冷压成块体后再次封装于石英管中进行退火处理;(6)冷却至室温,获得p型热电化合物。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |