发明名称 一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置
摘要 一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置,包括置于靶材上且相互平行的两根支撑轨道,所述支撑轨道上各设有一根垂直支撑杆,两根垂直支撑杆的上端经支撑横杆连接,其中一根垂直支撑杆上设有Ⅰ号电机,所述支撑横杆中间部位设有Ⅱ号电机,Ⅱ号电机上端经通讯电缆连接外接电脑,Ⅱ号电机下端经中间支杆连接有光敏感应标尺,所述光敏感应标尺内侧设有脉冲激光光源,脉冲激光光源外侧设有可伸缩测量探头。本实用新型可以准确的测出靶材表面已刻蚀的深度,从而计算出剩余靶材的厚度,进而得出剩余靶材的使用寿命,并进一步提高靶材的利用率,降低生产成本,提高产品在市场上的竞争优势。
申请公布号 CN205940475U 申请公布日期 2017.02.08
申请号 CN201620754921.1 申请日期 2016.07.19
申请人 江西共青城汉能薄膜太阳能有限公司 发明人 魏小涛;王宏杰;周志虎
分类号 G01B11/22(2006.01)I 主分类号 G01B11/22(2006.01)I
代理机构 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人 谢德珍
主权项 一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置,包括置于靶材(12)上且相互平行的两根支撑轨道(1),其特征在于,所述支撑轨道(1)上各设有一根垂直支撑杆(2),两根垂直支撑杆(2)的上端经支撑横杆(4)连接,其中一根垂直支撑杆(2)上设有Ⅰ号电机(11),所述支撑横杆(4)中间部位设有Ⅱ号电机(3),Ⅱ号电机(3)上端经通讯电缆(5)连接外接电脑(6),Ⅱ号电机(3)下端经中间支杆(7)连接有光敏感应标尺(8),所述光敏感应标尺(8)内侧设有脉冲激光光源(9),脉冲激光光源(9)外侧设有可伸缩测量探头(10)。
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