| 摘要 |
제1 및 상기 제1과 상이한 제2파장 영역에서 혼합광을 방출하기 위한 광전 장치는, 제1 또는 제2전류(41, 42)의 인가 시 제1 또는 제2파장 영역에서의 제1 또는 제2 특징 파장으로, 그리고 제1 또는 제2세기를 가진 광을 방출하는 제1 또는 제2발광다이오드(11, 21)를 구비한 제1 또는 제2반도체 광원(1, 2); 상기 반도체 광원들(1, 2)로부터 각각 방출된 광의 일부(110, 510)를 제1 또는 제2센서 신호(341, 342)로 변환하기 위한 광학 센서(3); 및 제1 및 제2센서 신호(341, 342)에 따라 상기 제1 및 제2전류(41, 42)를 조정하기 위한 조정 장치(4)를 포함하고, 이 때 각각 상기 제1 및 제2반도체 광원(1, 2)으로부터 방출된 광의 특징 파장 및 세기는 제1 또는 상기 제1과 상이한 제2온도 종속성 및/또는 전류 종속성 및/또는 에이징(931, 932, 941, 942)을 가지고, 상기 광학 센서(3)는 상기 제1 또는 제2파장 영역에서 제1 또는 제2파장종속적 민감도를 가지고, 상기 민감도는 제1 및 제2온도 종속성(931, 932, 941, 942)에 맞춰지고, 조정 장치(4)는 제1 및 제2전류(41, 42)를 조정하되, 상기 제2센서 신호에 대한 제1센서 신호(341, 342)가 기결정된 비율을 가지도록 조정한다. |
