一种BCD半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种BCD半导体器件极其实现方法，包括高压nLIGBT器件（1）、第一类高压nLDMOS器件（2）、第二类高压nLDMOS器件（3）、第三类高压nLDMOS器件（4）、低压NMOS器件（5）、低压PMOS器件（6）和低压NPN器件（7）；所述在高压nLIGBT器件（1）和第一类高压nLDMOS（2）的n型漂移区阱（21、22）中分别引入n型重掺杂层（201、202）；p型降场层（301、302）分别位于n型重掺杂层（201、202）的下方、被n型漂移区阱（21、22）包围。实现了在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。且其制造方法简单，工艺难度相对较低。

主权项

一种BCD半导体器件，包括高压nLIGBT器件(1)、第一类高压nLDMOS器件(2)、第二类高压nLDMOS器件(3)、第三类高压nLDMOS器件(4)、低压NMOS器件(5)、低压PMOS器件(6)和低压NPN器件(7)；在所述高压nLIGBT器件(1)和第一类高压nLDMOS器件(2)的n型漂移区阱(21、22)中分别引入n型重掺杂层(201、202)；p型降场层(301、302)分别位于n型重掺杂层(201、202)的下方、被n型漂移区阱(21、22)包围，所述高压nLIGBT器件(1)做在p型衬底(10)中，n型重掺杂层(201)位于场氧化层(51)下、被n型漂移区阱(21)包围；p型降场层(301)位于n型重掺杂层(201)下方；p⁺阳极区(72)处于阳极金属(902)下、被n型漂移区阱(21)包围；n⁺阴极区(81)和p⁺阱接触区(71)并排处于阴极金属(901)下、被p型体区(31)包围；多晶硅栅(61)部分处于栅氧化层(41)上、部分处于场氧化层(51)上；阴极金属(901)、阳极金属(902)和多晶硅栅(61)之间通过金属前介质(11)相互隔离；所述第一类高压nLDMOS器件(2)做在p型衬底(10)中，n型重掺杂层(202)位于场氧化层(51)下、被n型漂移区阱(22)包围；p型降场层(302)位于n型重掺杂层(202)下方；n⁺漏区(83)处于漏极金属(904)下、被n型漂移区阱(22)包围；n⁺源区(82)和p⁺阱接触区(73)并排处于源极金属(903)下、被p型体区(32)包围；多晶硅栅(63)部分处于栅氧化层(42)上、部分处于场氧化层(51)上；源极金属(903)、漏极金属(904)和多晶硅栅(63)之间通过金属前介质(11)相互隔离；所述第二类高压nLDMOS器件(3)做在p型衬底(10)中，n⁺漏区(85)处于漏极金属(906)下、被n型漂移区阱(23)包围；n⁺源区(84)和p⁺阱接触区(74)并排处于源极金属(905)下、被p型体区(33)包围；多晶硅栅(65)部分处于栅氧化层(43)上、部分处于场氧化层(51)上；源极金属(905)、漏极金属(906)和多晶硅栅(65)直接通过金属前介质(11)相互隔离；所述第三类高压nLDMOS器件(4)做在p型衬底(10)中，n⁺漏区(87)处于漏极金属(908)下、被n型漂移区阱(24)包围；n⁺源区(86)和p⁺阱接触区(75)并排处于源极金属(907)下、被p型体区(34)包围；多晶硅栅(66)处于栅氧化层(44)上；源极金属(907)、漏极金属(908)和多晶硅栅(66)之间通过金属前介质(11)相互隔离；所述低压NMOS器件(5)做在p型阱(35)中，p型阱(35)被衬底(10)包围，其n⁺漏区(89)处于漏极金属(910)下、被p型阱(35)包围；n⁺源区(88)和p⁺阱接触区(76)并排处于源极金属(909)下、被p型阱(35)包围；多晶硅栅(67)处于栅氧化层(45)上、金属前介质(11)下；多晶硅栅(67)、源极金属(909)和漏极金属(910)通过金属前介质(11)相互隔离；所述低压PMOS器件(6)做在n漂移区阱(25)中，p⁺漏区(78)处于漏极金属(912)下、被n型漂移区阱(25)包围，p⁺源区(77)和n⁺阱接触区(810)并排处于源极金属(911)下、被n型漂移区阱(25)包围，多晶硅栅(68)处于栅氧化层(46)上、金属前介质(11)下，所述多晶硅栅(68)、源极金属(911)和漏极金属(912)通过金属前介质(11)相互隔离；所述低压NPN器件(7)做在p型衬底(10)中，集电区n型阱(26)置于p型衬底(10)中，基区p型阱(36)被集电区n型漂移阱(26)包围，基极p⁺接触区(79)位于基极金属(914)下、被基区p阱(36)包围，发射极n⁺区(812)位于发射极金属(915)下、被基区p型阱(36)包围，集电极n⁺区(811)位于集电极金属(913)下、被n型漂移区阱(26)包围，集电极金属(913)、基极金属(914)和发射极金属(915)通过金属前介质11相互隔离。