| 发明名称 | 一种提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法 | ||
| 摘要 | 一种提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法，包括以下步骤：利用石墨压制成带有凹槽的晶片载盘胚体，将胚体经烧结制成晶片载盘，在晶片载盘受热时的低温区的凹槽的立面上固定凸起或蚀刻凹痕，在晶片载盘表面上沉积保护膜。在晶片载盘受热时温度低于其它区域的凹槽的里面上固定凸起或蚀刻凹痕能够提高凹槽内表面的粗糙度，进而提高凹槽立面热发射率，使得低温区凹槽温度提高，进而提高整体温度均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN106381480A | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
| 申请号 | CN201610788823.4 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 江苏实为半导体科技有限公司 | 发明人 | 黎子兰;陈景升;黎静;田青林 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I;C23C16/48(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I;C30B25/12(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I |
| 代理机构 | 徐州市淮海专利事务所 32205 | 代理人 | 华德明 |
| 主权项 | 一种提高MOCVD加热均匀性的晶片载盘制备方法，包括以下步骤：利用石墨压制成带有凹槽的晶片载盘胚体，将胚体经烧结制成晶片载盘，其特征在于，在晶片载盘受热时的低温区的凹槽的立面上固定凸起或蚀刻凹痕，在晶片载盘表面上沉积保护膜。 | ||
| 地址 | 221300 江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧 | ||