一种高效异质结太阳能电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种高效异质结太阳能电池的制造方法，包括：掺杂的半导体基底以及分布在基底两面的第一微结构层和第二微结构层，即黑硅层；第一微结构层上面沉积一层钝化层；第一本征层和第二本征层分别设置在第一微结构层和第二微结构层上面，然后第一本征层和第二本征层上面分别设置第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层的掺杂与半导体基底的掺杂类型相反，第二半导体层的掺杂与半导体基底的掺杂类型相同，但其掺杂浓度远远大于基底的掺杂浓度；上下电极分别镀在第一、第二半导体层上面。

主权项

本发明公开了一种高效异质结太阳能电池的制造方法，包括：掺杂的半导体基底以及分布在基底两面的第一微结构层和第二微结构层，即黑硅层；第一微结构层上面沉积一层钝化层；第一本征层和第二本征层分别设置在第一微结构层和第二微结构层上面，然后第一本征层和第二本征层上面分别设置第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层的掺杂与半导体基底的掺杂类型相反，第二半导体层的掺杂与半导体基底的掺杂类型相同，但其掺杂浓度远远大于基底的掺杂浓度；上下电极分别镀在第一、第二半导体层上面。