| 摘要 |
[해결수단] 산화이트륨, 불화이트륨 및 옥시불화이트륨의 1종 또는 2종 이상을 포함하는 두께 10 내지 500㎛의 이트륨계 용사 피막이며, 해당 피막 표면에 존재하는 입경 300㎚ 이하의 입자의 수가 1㎟당 5개 이하인 것을 특징으로 하는 이트륨계 용사 피막. [효과] 할로겐계 가스 플라즈마 분위기에서도 우수한 내부식성을 발휘하고, 또한 반도체 제조 공정에 있어서의 에칭 처리에 있어서 이트륨계 입자의 박락에 의한 발진을 가급적 방지하여, 반도체 제조의 수율을 효과적으로 향상시킬 수 있다. |
