InP基量子阱远红外探测器及其制作方法

摘要

本申请公开了一种InP基量子阱远红外探测器及其制作方法，该探测器包括InP衬底、外延层和电极，所述外延层形成于所述InP衬底上，所述外延层包括吸收层，该吸收层采用多周期的In_xGa_1‑xAs/In_yGa_1‑yAs_zP_1‑z多量子阱结构，其探测波段为7～20微米，其中，0.53≤x＜1，0.75≤y＜1，0.18≤z＜1。本发明采用的InGaAs/InGaAsP多量子阱做吸收层，利用子能带能级间光跃迁实现对红外辐射光子的共振吸收。该量子阱势垒和势阱材料均与InP衬底晶格匹配，具有非常好的晶体质量，通过调节四元化合物InGaAsP的带隙，可有效调节探测波长，能够实现7～20微米的红外响应探测。发明的探测器具有较高的量子效率，器件结构简单，体积小，可进行远红外波段的探测，具有广泛应用前景。

主权项

一种InP基量子阱远红外探测器，其特征在于，包括InP衬底、外延层和电极，所述外延层形成于所述InP衬底上，所述外延层包括吸收层，该吸收层采用多周期的In_xGa_1‑xAs/In_yGa_1‑yAs_zP_1‑z多量子阱结构，其探测波段为7～20微米，其中，0.53≤x＜1，0.75≤y＜1，0.18≤z＜1。