| 发明名称 | 具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及其形成方法，包括：衬底以及形成于衬底中的第一二极管、第二二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一二极管与所述第二二极管同向串联形成串联二极管组，所述串联二极管组一端连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。在本发明提供的具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及其形成方法中，通过将形成的串联二极管组的一端连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，使金属氧化物半导体场效应晶体管在电荷的向导通时通过所述串联二极管组排走，避免由于电荷造成的损伤，并使金属氧化物半导体场效应晶体管具有较高的反偏击穿电压的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN106384734A | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
| 申请号 | CN201611113099.1 | 申请日期 | 2016.12.07 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 于奎龙;王志强;韩坤 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构，其特征在于，包括：衬底以及形成于衬底中的第一二极管、第二二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一二极管与所述第二二极管同向串联形成串联二极管组，所述串联二极管组的一端连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||