湿度传感器

摘要

本实用新型涉及湿度传感器。一种湿度传感器具有感测组件和参考组件。每个组件可以通过使用具有上部栅极介电层的晶体管来指示湿度，所述上部栅极介电层具有根据对水分改变的暴露而变化的介电常数。感测组件可以具有其暴露于周围环境的上部栅极介电层。参考组件可以具有其没有对任何环境的暴露的上部栅极介电层。感测和参考晶体管输出可以利用差分电子器件来处理，从而提供输出来指示周围环境中的湿度。差分处理可以反映具有高共模抑制比的输出。沉积在薄栅极介电层上的上部栅极介电层的示例可以是疏水性聚合物材料。可以代替地使用其它材料。组件和处理电子器件可以是利用集成电路技术制造的晶体管电路。

主权项

一种湿度传感器，包括：衬底；参考场效应晶体管；以及感测场效应晶体管；以及其中：参考场效应晶体管包括：在衬底上形成的源极；在衬底上形成的漏极；栅极；下部栅极介电层，其覆盖源极的至少一部分和漏极的至少一部分以及其间的衬底；以及疏水性聚合物的上部介电层，其覆在下部栅极绝缘层上；以及其中：参考场效应晶体管的疏水性聚合物的层被不可渗透水蒸汽的层覆盖；以及栅极包括不可渗透水蒸汽的层；以及感测场效应晶体管还包括：在衬底上形成的源极；在衬底上形成的漏极；栅极；下部栅极绝缘层，其覆盖源极的至少一部分和漏极的至少一部分以及其间的衬底；以及疏水性聚合物的上部栅极介电层，其覆在下部栅极绝缘层上；以及其中：感测场效应晶体管的疏水性聚合物的层被可渗透水蒸汽的层覆盖；以及栅极包括可渗透水蒸汽的层。