发明名称 一种阵列基板及其制备方法,显示面板、显示装置
摘要 本发明提供一种阵列基板及其制备方法,显示面板、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的低温多晶硅液晶显示器制作过程中需要的掩膜板多的问题。本发明的阵列基板的制备方法,包括以下步骤:采用挡光层‑掺杂复用掩膜板在衬底基板上通过构图工艺形成挡光层;采用挡光层‑掺杂复用掩膜板完成互补金属氧化物半导体晶体管的掺杂。本发明的阵列基板及其制备方法,显示面板、显示装置使用了一个挡光层‑掺杂复用掩膜板代替了现有技术在制备挡光层和掺杂过程中的两个掩膜板,节省制造过程的掩膜板的数量,节省了成本;同时,在阵列基板的驱动区域的N型晶体管下方设置有挡光层能有利避免使导电区产生光漏电。
申请公布号 CN103996655B 申请公布日期 2017.02.08
申请号 CN201410083723.2 申请日期 2014.03.07
申请人 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 发明人 胡理科;祁小敬
分类号 H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 柴亮;张天舒
主权项 一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:采用挡光层‑掺杂复用掩膜板在衬底基板上通过构图工艺形成挡光层的图形;其中,所述挡光层‑掺杂复用掩膜板具有对应衬底基板上驱动区域的第一型晶体管的有源层导电区的遮挡部,以及对应衬底基板上显示区域的第一型晶体管的有源层导电区的遮挡部;所述的挡光层形成在与驱动区域的第一型晶体管的有源层导电区对应的位置,以及与显示区域的第一型晶体管的有源层导电区对应的位置;对第一型晶体管和第二型晶体管的有源层进行第一型掺杂;采用挡光层‑掺杂复用掩膜板遮挡第一型晶体管的有源层的导电区,对第二型晶体管进行第二型掺杂。
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