发明名称 |
一种半导体结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体结构及其形成方法,采用相邻栅极结构间为U形凹槽,栅极结构和STI间为∑形凹槽的结构,从而在形成硅锗层后,有效的减轻STI拉应力的影响,从而保证了整体的沟道迁移率的一致性和饱和速度的一致性,相比现有工艺,大大的提高了器件的性能。 |
申请公布号 |
CN103681327B |
申请公布日期 |
2017.02.08 |
申请号 |
CN201210328441.5 |
申请日期 |
2012.09.06 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
邓浩 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供一衬底,在所述衬底中形成多个浅沟道隔离,所述浅沟道隔离两侧为N阱和P阱,在所述N阱上形成多个栅极结构;在相邻栅极结构之间的N阱中形成第一凹槽,包括形成第一掩膜层,所述第一掩膜层覆盖所述衬底及多个栅极结构;去除位于相邻栅极结构间的衬底上的第一掩膜层,暴露出衬底的第一部分;刻蚀所述衬底的第一部分形成多个第一凹槽;在所述浅沟道隔离和栅极结构之间的N阱中形成过渡凹槽,包括去除剩余的第一掩膜层,并形成第二掩膜层,所述第二掩膜层覆盖所述衬底、多个栅极结构及第一凹槽;去除位于浅沟道隔离和栅极结构之间的第二掩膜层,暴露出衬底的第二部分;刻蚀所述衬底的第二部分形成过渡凹槽;刻蚀所述过渡凹槽形成第二凹槽;在所述第一凹槽和第二凹槽内形成硅锗层;其中,所述第一凹槽为U形凹槽,所述第二凹槽为Σ形凹槽。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |