发明名称 |
一种离子连续收集装置和方法、以及离子富集系统和方法 |
摘要 |
本发明提供了一种基于线性离子阱的离子连续收集装置,其包括用于向线性离子阱x向电极对中的一个电极和/或y向电极对中的一个电极上施加直流偏置电压的电压施加装置,或者将线性离子阱的离子入射口设置于端盖电极的非中心处,或者将二者结合。本发明还提供了一种基于线性离子阱的离子连续收集方法以及一种低丰度离子的富集系统和方法。本发明提供的离子连续收集装置可有效抑制高能离子在离子阱中的逃逸,实现宽能量范围离子的连续收集。本发明提供的离子收集方法可实现离子的连续进样,提高了宽能量范围离子在离子阱中的囚禁率。本发明提供的低丰度离子富集系统和方法可用于低丰度离子的富集和检测。 |
申请公布号 |
CN104576288B |
申请公布日期 |
2017.02.08 |
申请号 |
CN201310516436.1 |
申请日期 |
2013.10.28 |
申请人 |
北京理工大学 |
发明人 |
徐伟;王玉琢;方向;熊行创;江游;黄泽建 |
分类号 |
H01J49/10(2006.01)I;H01J49/42(2006.01)I;H01J49/26(2006.01)I |
主分类号 |
H01J49/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京律智知识产权代理有限公司 11438 |
代理人 |
冯志云 |
主权项 |
一种基于线性离子阱的离子连续收集装置,所述线性离子阱包括用于施加射频电压的x向电极对和y向电极对、以及端盖电极,所述端盖电极上设有离子入射口,其特征在于,所述收集装置还包括用于向所述x向电极对中的一个电极和/或y向电极对中的一个电极上施加直流偏置电压的电压施加装置;所述电压施加装置施加的直流偏置电压的大小为所述射频电压大小的0.01~0.1倍。 |
地址 |
100081 北京市海淀区中关村南大街5号 |