多孔低k介质层的形成方法及多孔低k介质层

摘要

本发明提供一种多孔低k介质层的形成方法及多孔低k介质层。其中，多孔低k介质层的形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成介质层，形成所述介质层的反应气体包括主反应气体，所述主反应气体的化学结构式包括环状基团、硅原子、碳原子和氢原子，所述环状基团包括碳原子和氢原子；利用紫外线对所述介质进行处理，形成多孔低k介质层。采用本发明的方法，可以节省工艺步骤，降低工艺复杂度，提高形成多孔低k介质层的工艺效率。

主权项

一种多孔低k介质层的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成介质层，形成所述介质层的反应气体包括主反应气体，所述主反应气体的化学结构式包括环状基团、硅原子、碳原子和氢原子，所述环状基团包括碳原子和氢原子；利用紫外线对所述介质进行处理，形成多孔低k介质层；所述主反应气体为环丙基(三甲硅基)乙炔或/和1‑乙氧基‑1‑三甲基硅基环丙烷。