发明名称 |
一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法,包括以下几个步骤:步骤A、将靶材装入溅射靶中,将基片洗净后放入基片架上,抽真空,使基片能随基片架在溅射靶材上方直线往复动态沉积,获得薄膜;步骤B、将所述基片加热,并于真空室内通入溅射气体,调节真空室压强。本发明可以通过磁控溅射法在硅基薄膜衬底上低温、低功率制备高质量的透明导电膜。 |
申请公布号 |
CN103325888B |
申请公布日期 |
2017.02.08 |
申请号 |
CN201310249995.0 |
申请日期 |
2013.06.21 |
申请人 |
哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
发明人 |
周洪彪;张化宇;韩杰才 |
分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 |
代理人 |
韩英杰;许建 |
主权项 |
一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法,其特征在于,包括以下几个步骤:步骤(1):把选用的质量分数2% Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂的ZnO陶瓷靶,尺寸为450×75mm,装与溅射靶中,将实验基片在丙酮溶液中利用超声波清洗仪清洗15min,再在无水乙醇中清洗15min,最后在去离子水中经超声波清洗20min后氮气吹干,将超声清洗过的基片迅速放入基片架上,抽真空至真空室本底真空度高于3.0×10<sup>‑3</sup>Pa;基片能随基片架在溅射靶材上方直线往复动态沉积,获得大于靶材尺寸的薄膜,经过靶材正上方往复频率为40秒/次;步骤(2):给基片加热并保持至50℃,然后往真空室内通入100sccm氩气作为溅射气体,调节真空室压强为0.65Pa,掺铝氧化锌靶材对应的射频功率为600W。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区西丽镇深圳大学城哈工大校区 |