一种集成电路用磷铜阳极的制备方法和熔炼炉及其系统

摘要

本发明涉及一种集成电路用磷铜阳极的制备方法和熔炼炉及其系统，该方法包括原材料采用铜含量达到99.99％以上的A级电解铜以及单项杂质不大于0.003％的高磷铜合金；真空熔炼与连铸：选用真空的熔炼炉对所述A级电解铜以及高磷铜合金进行铜、磷的合成以及牵引，获取磷铜合金铸锭；微晶处理：在真空状态下对所述磷铜合金铸锭进行微晶处理；冷态加工成形：在常温下对微晶处理后的所述磷铜合金铸锭进行加工成形，获得集成电路用磷铜阳极。本发明通过对原材料真空熔炼与连铸，在真空状态下微晶处理，常温下加工成形，实现制造工艺简单，制备的集成电路用磷铜阳极具有很高的填充能力，且具有更高的延展性，铜的纯度高与晶粒度小且均匀。

主权项

一种集成电路用磷铜阳极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：原材料采用铜含量达到99.99％以上的A级电解铜以及单项杂质不大于0.003％的高磷铜合金；真空熔炼与连铸：选用真空的熔炼炉对所述A级电解铜以及高磷铜合金进行铜、磷的合成以及牵引，获取磷铜合金铸锭；微晶处理：在真空状态下对所述磷铜合金铸锭进行微晶处理；冷态加工成形：在常温下对微晶处理后的所述磷铜合金铸锭进行加工成形，获得集成电路用磷铜阳极。