发明名称 OLED封装结构与OLED封装方法
摘要 本发明提供了一种OLED封装结构,包括封装单元和沉积有OLED器件的柔性基板;封装单元包括依次层叠于OLED器件之上的第一封装层、第一有机层和第二封装层,第一封装层与第二封装层均由无机材料制成;第一封装层包括第一像素区域与第一像素限定区域,第一像素区域的膜厚大于第一像素限定区域的膜厚,且第一像素限定区域的膜厚由第一像素限定区域的边缘到内部逐渐减小;第二封装层包括与第一像素区域对应的第二像素区域,以及与第一像素限定区域对应的第二像素限定区域,第二像素区域的膜厚小于第二像素限定区域的膜厚,且第二像素区域的膜厚由第二像素区域的边缘到内部逐渐减小。本发明还提供了一种OLED封装方法。
申请公布号 CN106384789A 申请公布日期 2017.02.08
申请号 CN201610969589.5 申请日期 2016.10.31
申请人 武汉华星光电技术有限公司 发明人 唐凡
分类号 H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L51/52(2006.01)I
代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 郝传鑫;熊永强
主权项 一种OLED封装结构,其特征在于,包括封装单元和沉积有OLED器件的柔性基板;所述封装单元包括依次层叠于所述OLED器件之上的第一封装层、第一有机层和第二封装层,所述第一封装层与所述第二封装层均由无机材料制成;所述第一封装层包括第一像素区域与第一像素限定区域,所述第一像素区域的膜厚大于所述第一像素限定区域的膜厚,且所述第一像素限定区域的膜厚由所述第一像素限定区域的边缘到内部逐渐减小;所述第二封装层包括与所述第一像素区域对应的第二像素区域,以及与所述第一像素限定区域对应的第二像素限定区域,所述第二像素区域的膜厚小于所述第二像素限定区域的膜厚,且所述第二像素区域的膜厚由所述第二像素区域的边缘到内部逐渐减小。
地址 430070 湖北省武汉市武汉东湖开发区高新大道666号生物城C5栋