| 发明名称 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管从下而上依次包括衬底、阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与无定型绝缘化合物。本发明是将含有量子点的无定型绝缘化合物的溶液旋涂成膜来制备量子点发光层，以此来减弱量子点发光层所处的电场强度，在减少电子和空穴注入势垒的同时提高了电子空穴的复合几率，进而有效的提高QLED器件的效率与寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN106384765A | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
| 申请号 | CN201610953344.3 | 申请日期 | 2016.11.03 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 程陆玲;杨一行 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管从下而上依次包括衬底、阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与无定型绝缘化合物。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||