| 发明名称 | OTP存储器 | ||
| 摘要 | OTP存储器，涉及集成电路。本发明包括检测放大器和至少4个存储单元组成的阵列，每个存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和栅电容，其特征在于，在每个存储单元中，第二晶体管的漏极通过开关管与第二位线连接，开关管的控制端连接到行控制线；每一行的存储单元共用一条行控制线。本发明运行的功耗非常低，特别适用于超高频RFID。 | ||
| 申请公布号 | CN103219046B | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
| 申请号 | CN201310119765.2 | 申请日期 | 2013.04.08 |
| 申请人 | 成都凯路威电子有限公司 | 发明人 | 彭泽忠;方中岳;张强 |
| 分类号 | G11C17/18(2006.01)I | 主分类号 | G11C17/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人 | 刘勋 |
| 主权项 | OTP存储器，包括检测放大器和至少4个存储单元组成的阵列，每个存储单元包括第一晶体管(E1)、第二晶体管(E2)和栅电容，第一晶体管(E1)和第二晶体管(E2)都包括控制端、第一连接端和第二连接端，第一晶体管(E1)的第一连接端和栅电容连接，第一晶体管(E1)的第一连接端还与第二晶体管(E2)的控制端连接，第一晶体管(E1)的第二连接端与第二晶体管(E2)的第二连接端连接到第一位线，其特征在于，在每个存储单元中，第二晶体管(E2)的第一连接端通过开关管与第二位线连接，开关管的控制端连接到行控制线；每一行的存储单元共用一条行控制线。 | ||
| 地址 | 610041 四川省成都市高新区府城大道西段399号 | ||