GaN基发光二极管及其制作方法

摘要

本发明实施例提供一种GaN基发光二极管及其制作方法。本发明GaN基发光二极管包括：衬底、发光外延层、第一电极和第二电极；所述第二电极包括环形金属接触层和圆形金属反射层；所述发光外延层包括电流阻挡层、透明导电层、绝缘保护层、第一半导体层和第二半导体层；所述发光外延层设置在衬底的上表面；所述第一电极设置在所述发光外延层的所述第一半导体层上；所述第二电极设置在所述发光外延层的所述第二半导体层上；所述透明导电层和所述绝缘保护层分别设置有第一圆孔，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同，通过对第二电极的接触层和反射层结构进行优化，在保证产品的良率及工艺的稳定性同时，提高了产品的亮度和可靠性。

主权项

一种GaN基发光二极管，其特征在于，包括：衬底、发光外延层、第一电极和第二电极；所述第二电极包括环形金属接触层和圆形金属反射层；所述发光外延层包括电流阻挡层、透明导电层、绝缘保护层、第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述发光外延层设置在所述衬底的上表面；所述第一电极设置在所述发光外延层的所述第一半导体层上；所述第二电极设置在所述发光外延层的所述第二半导体层上；所述透明导电层和所述绝缘保护层分别设置有第一圆孔，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同。