发明名称 一种量子点发光二极管及其制备方法
摘要 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,方法包括步骤:在衬底上制备一层氧化石墨烯,然后在氧化石墨烯上涂覆茶多酚与HI的混合水溶液,待表面干燥之后冷却,得到石墨烯;在石墨烯上依次制备空穴传输层和量子点发光层;在量子点发光层上制备电子传输层,并蒸镀阴极于电子传输层上,形成量子点发光二极管。本发明通过采用茶多酚与HI的混合水溶液处理氧化石墨烯(GO),得到石墨烯,以显著提高石墨烯的电导率,同时由于其高透光性,因而,可以作为阳极的优选材料,以显著提高器件效率。
申请公布号 CN106384769A 申请公布日期 2017.02.08
申请号 CN201611037040.9 申请日期 2016.11.23
申请人 TCL集团股份有限公司 发明人 刘佳;曹蔚然;向超宇
分类号 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L33/06(2010.01)I
代理机构 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人 王永文;刘文求
主权项 一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括:步骤A、在衬底上制备一层氧化石墨烯,然后在氧化石墨烯上涂覆茶多酚与HI的混合水溶液,待表面干燥之后冷却,得到石墨烯;步骤B、在石墨烯上依次制备空穴传输层和量子点发光层;步骤C、在量子点发光层上制备电子传输层,并蒸镀阴极于电子传输层上,形成量子点发光二极管。
地址 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
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