SEMICONDUCTOR DEVICE WITH COMPOSITE TRENCH AND IMPLANT COLUMNS

摘要

본질적으로, 하측의 층들에 도펀트를 주입함으로써 형성된 볼륨 혹은 볼륨들 위에 상대적으로 낮은 종횡비의 컬럼(도펀트, 예를 들어, p-형 도펀트로 채워진 트렌치들)을 적층함으로써 고항복 전압을 갖는 초접합 금속 산화물 반도체 FET와 같은 금속 절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터(MISFET)가 실현된다. 이와 함께, 낮은 종횡비의 컬럼과 볼륨(들)은 연속적인 고 종횡비 컬럼을 형성한다.