发明名称 |
一种MOCVD工艺生长的红外测温方法及装置 |
摘要 |
一种MOCVD工艺生长的红外测温方法及装置,其特征在于测温过程中包含以下步骤:先测量物体的发射率,根据基尔霍夫定律计算得到其发射率;将发射率大小与发射率阀值作比较,如果测量发射率小于阀值,就采用单波长加发射率修正方法测温;否则采用远红外双波长方法测温,当远红外波长中较大波长的能量超过测试量程,就采用近红外双波长测温,同样当近红外中较小波长能量低于测试量程,就跳转至远红外双波长测温。本发明的优点是:通过有效结合单双波长测温优点选择不同方法测温,解决了MOCVD生长过程中的复杂表面测温问题。自动选择测试方法,测量准确度高,同时四个波长测温极大扩展测温范围。 |
申请公布号 |
CN104180905B |
申请公布日期 |
2017.02.08 |
申请号 |
CN201310192329.8 |
申请日期 |
2013.05.22 |
申请人 |
甘志银 |
发明人 |
甘志银;李欣;胡少林;李伟;李明超 |
分类号 |
G01J5/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01J5/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 31210 |
代理人 |
李平 |
主权项 |
一种MOCVD工艺生长的红外测温方法,其特征在于包含以下步骤:步骤1,测量反射率:根据传热学的基尔霍夫定理,对于非透明被测物体的发射率ξ与反射率r的和为1,即:ξ=1‑r,测量物体的反射率r,可计算得到对应的发射率:ξ;步骤2,选择测温方法:将步骤1中测量的发射率ξ与设定的发射率阀值K比较,如果ξ<K,此时采用单波长发射率修正方法测温,进入步骤5;否则,采用双波长方法测温,进入步骤3;步骤3,测量辐射物体在选定较长的远红外波长的能量E,如果E小于测试量程,此时采用远红外双波长测温进入步骤5;如果E大于测试量程,此时进行步骤4;步骤4,根据近红外双波长辐射能量进行双波长测温,如果较小的近红外波长能量低于测试量程,则进入步骤3,否则进入步骤5;步骤5计算得到红外测量的准确温度,并根据不同步骤入口显示测温方法以及测量温度。 |
地址 |
528251 广东省佛山市南海区平洲南港路沙尾工业西区C栋一楼 |