像素单元及其制作方法、图像传感器及其制作方法

摘要

一种像素单元及其制作方法、图像传感器及其制作方法。像素单元包括：半导体基底，半导体基底的导电类型为第一导电类型；位于半导体基底中的光电二极管、传输晶体管和复位晶体管；浮置扩散区，位于传输晶体管的栅极结构和复位晶体管的栅极结构之间的半导体基底中，浮置扩散区包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区的导电类型为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型不同，第一掺杂区中掺杂离子的浓度大于第二掺杂区中掺杂离子的浓度，第一掺杂区和第二掺杂区相邻。本发明所形成像素单元的转换增益值稳定，包括所形成像素单元的图像传感器动态范围大，显示质量好。

主权项

一种像素单元，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底的导电类型为第一导电类型；位于所述半导体基底中的光电二极管、传输晶体管和复位晶体管；浮置扩散区，位于所述传输晶体管的栅极结构和所述复位晶体管的栅极结构之间的所述半导体基底中，所述浮置扩散区包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第二掺杂区位于中间，第一掺杂区和第三掺杂区分别位于第二掺杂区两侧，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区相邻，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区相邻，且所述第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区的导电类型为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，所述第一掺杂区中掺杂离子的浓度大于所述第二掺杂区中掺杂离子的浓度，所述第三掺杂区中掺杂离子浓度大于所述第二掺杂区中掺杂离子浓度。