硅通孔及其形成方法

摘要

一种硅通孔及其形成方法，所述硅通孔的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；刻蚀所述半导体衬底第一表面，在所述半导体衬底内形成第一开口，并在所述第一开口周围的半导体衬底内形成若干分离的第二开口，所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸；在所述半导体衬底第一表面沉积介质层，所述介质层将所述第二开口密闭，在所述第二开口内形成空气隙，所述介质层覆盖所述第一开口的底部和侧壁；在所述介质层上沉积金属层，所述金属层填充满所述第一开口；从所述半导体衬底第二表面减薄所述半导体衬底，暴露出所述金属层。本发明的硅通孔可靠性高。

主权项

一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；刻蚀所述半导体衬底第一表面，在所述半导体衬底内形成第一开口，并在所述第一开口周围的半导体衬底内形成若干分离的第二开口，所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸；在所述半导体衬底第一表面沉积介质层，所述介质层将所述第二开口密闭，在所述第二开口内形成空气隙，所述介质层覆盖所述第一开口的底部和侧壁；在所述介质层上沉积金属层，所述金属层填充满所述第一开口；从所述半导体衬底第二表面减薄所述半导体衬底，暴露出所述金属层；减薄所述半导体衬底，暴露出所述金属层的同时，暴露出所述空气隙。