SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIN STRUCTURES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

반도체 FET 디바이스는 버퍼 구조물 및 핀 구조물을 포함한다. 버퍼 구조물은 핀 형상을 가지며, 기판 위에 배치되고 제1 방향을 따라 연장된다. 핀 구조물은 FET 디바이스의 채널 영역을 포함하며, 상기 버퍼 구조물 상에 배치되며 제1 방향을 따라 연장된다. 제1 방향에 수직인 제2 방향에 따른 버퍼 구조물의 폭은, 버퍼 구조물과 핀 구조물 사이의 인터페이스에서 측정되는 제2 방향에 따른 핀 구조물의 폭보다 더 크다.