反应腔结构及半导体等离子处理系统

摘要

本发明公开了一种反应腔结构及半导体等离子处理系统，包含腔体、连接设置在腔体底部的集成转接器，该主腔体下方包括具有第一直径的主腔体开口，所述集成转接器由环形侧壁围绕形成用于气体流通的内部通道，所述转接器包括上下相连接的腔底密闭环和转接环，转接环的内部通道具有第二直径，腔底密闭环的顶部与所述主腔体开口形状相匹配具有第一直径，腔底密闭环底部通道具有第二直径，其中第一直径大于第二直径。本发明将原有的腔体分为主下两部分腔体，并将主腔体底部与转接器相整合，简化了腔体内部的加工工艺。

主权项

一种反应腔结构，包含主腔体（13）、连接设置在主腔体底部的集成转接器（2），该主腔体（13）下方包括具有第一直径的主腔体开口（11），所述集成转接器由环形侧壁围绕形成用于气体流通的内部通道，所述集成转接器包括上下相连接的腔底密闭环（21）和转接环（22），其特征在于，转接环（22）的内部通道具有第二直径，腔底密闭环（21）的顶部与所述主腔体开口（11）形状相匹配具有第一直径，腔底密闭环（21）底部通道具有第二直径，其中第一直径大于第二直径。