一种MOSFET器件

摘要

本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种MOSFET器件，包括N⁺层、N区、栅电极区和源极金属，N⁺层上依次设置有N区、栅电极区和源极金属，源极金属与N区之间形成肖特基结，N区设置有第一凹槽和第二凹槽，且第二凹槽深度大于第一凹槽深度，栅电极区位于第一凹槽内，其中N区顶部上有MOSFET的沟道，沟道为肖特基结的势垒区，沟道长度非常短，可以在一定程度上克服MOSFET的沟道电子迁移率低沟道电阻大的问题，第一凹槽为MOSFET的栅沟槽，第二凹槽为肖特基源区的沟槽，而且第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度，在器件承载电压的时候，肖特基结对MOSFET栅沟槽底部形成电场屏蔽，来降低MOSFET栅沟槽底部电场，改善MOSFET的可靠性。

主权项

一种MOSFET器件，其特征在于，包括：N⁺层、N区、栅电极区和源极金属；所述N⁺层上依次设置有所述N区、所述栅电极区和所述源极金属；所述源极金属与所述N区之间形成肖特基结；所述N区设置有第一凹槽和第二凹槽，且所述第二凹槽深度大于所述第一凹槽深度。