半导体功率器件封装结构

摘要

本发明公开了一种半导体功率器件封装结构。该封装结构包括：基板，基板的上表面形成有相互隔开的芯片区域和引线区域；金属层，包括形成于芯片区域上的第一金属层和形成于引线区域上的第二金属层；焊接层，形成于第一金属层之上；功率芯片，通过焊接层焊接在第一金属层上；连线，功率芯片通过连线与第二金属层电连接；密封层，包绕功率芯片和连线以形成封装结构。该半导体功率器件封装结构制作工艺简单，成本低廉，可以实现多个功率芯片的组合，甚至与系统电路中的其他元器件集成与同一块绝缘基板上，形成完全集成的电路板，以满足不同的应用需求。

主权项

一种半导体功率器件封装结构，其特征在于，该封装结构包括：基板(201)，所述基板(201)的上表面形成有相互隔开的芯片区域和引线区域；金属层(202)，包括形成于所述芯片区域上的第一金属层(202a)和形成于所述引线区域上的第二金属层(202b)；焊接层(203)，形成于所述第一金属层(202a)之上；功率芯片(204)，通过所述焊接层(203)焊接在所述第一金属层(202a)上；连线(205)，所述功率芯片(204)通过所述连线(205)与所述第二金属层(202b)电连接；密封层(206)，所述密封层(206)包绕所述功率芯片(204)和连线(205)以形成封装结构。