一种IGBT器件

摘要

本实用新型涉及半导体器件技术领域，更具体地讲，涉及一种IGBT器件，包括源极金属、P⁺层、N区和栅电极区P⁺层位于最底层，向上依次设置N区、栅电极区和源极金属，源极金属与N区之间形成肖特基结，N区设置有第一凹槽和第二凹槽，且第二凹槽深度大于第一凹槽深度，栅电极区位于第一凹槽内，其中第一凹槽为MOSFET的栅沟槽，第二凹槽为肖特基源区的沟槽，肖特基源区的沟槽深度大于MOSFET的栅沟槽深度，在器件承载电压的时候，肖特基结对MOSFET栅沟槽底部形成电场屏蔽，来降低MOSFET栅沟槽底部电场，改善MOSFET的可靠性，进而提高IGBT器件的可靠性。

主权项

一种IGBT器件，其特征在于，包括：源极金属、P⁺层、N区和栅电极区；所述P⁺层上依次设置有所述N区、所述栅电极区和所述源极金属；所述源极金属与所述N区之间形成肖特基结；所述N区设置有第一凹槽和第二凹槽，且所述第二凹槽深度大于所述第一凹槽深度。