| 摘要 |
비휘발성 메모리 장치는 프로그램 전압 활성화 명령, 리드 전압 활성화 명령 또는 이레이즈 전압 활성화 명령에 응답하여 각각 프로그램 전압, 리드 전압 또는 이레이즈 전압을 활성화하고, 전압 비활성화 명령에 응답하여 활성화된 전압을 비활성화하는 전압 생성 회로; 다수의 비휘발성 메모리 장치 셀을 포함하고, 프로그램 셀 동작 명령, 리드 셀 동작 명령 또는 이레이즈 셀 동작 명령에 응답하여 각각 상기 프로그램 전압, 상기 리드 전압 또는 상기 이레이즈 전압을 이용하여 셀 동작을 수행하는 셀 어레이; 및 프로그램시 외부에서 입력된 데이터를 래치하고, 리드시 상기 셀 어레이에서 출력된 데이터를 래치하는 다수의 페이지 버퍼를 포함하는 페이지 버퍼 그룹을 포함할 수 있다. |
