发明名称 NVRAM控制方法及系统
摘要 本发明公开了一种NVRAM控制方法及系统,该方法包括以下步骤:初始化NVRAM内部数据,读取NVRAM中可被修复的数据,并对读取的可被修复的数据进行修复;将修复后的数据存储至NVRAM的有效地址中;将有效地址的信息进行重组,并存储。本发明通过对NVRAM进行有效控制管理,弥补了NVRAM本身存在的磨损错误及良率较低等问题,有利于提高NVRAM的实用性。
申请公布号 CN103257902B 申请公布日期 2017.02.08
申请号 CN201310123602.1 申请日期 2013.04.10
申请人 深圳市硅格半导体有限公司 发明人 罗天德;吴大畏
分类号 G06F11/07(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I;G06F3/06(2006.01)I 主分类号 G06F11/07(2006.01)I
代理机构 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人 胡海国
主权项 一种NVRAM控制方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:初始化NVRAM内部数据,读取NVRAM中可被修复的数据,并对读取的可被修复的数据进行修复;将修复后的数据存储至NVRAM的有效地址中;将有效地址的信息进行重组,并存储;在执行所述将有效地址的信息进行重组,并存储的步骤之后还包括:在对NVRAM进行数据写入时,接收到外部传输的数据后获取该外部传输的数据的访问标识并存储;将接收到的数据编码后存入NVRAM的有效地址中;在读取NVRAM内的数据时,接收访问标识,根据访问标识获得与之对应的数据的有效地址信息;根据有效地址信息读取存储在NVRAM的有效地址中的数据信息;对读取到的数据信息进行解码,并输出解码后的数据信息。
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