发明名称 |
NVRAM控制方法及系统 |
摘要 |
本发明公开了一种NVRAM控制方法及系统,该方法包括以下步骤:初始化NVRAM内部数据,读取NVRAM中可被修复的数据,并对读取的可被修复的数据进行修复;将修复后的数据存储至NVRAM的有效地址中;将有效地址的信息进行重组,并存储。本发明通过对NVRAM进行有效控制管理,弥补了NVRAM本身存在的磨损错误及良率较低等问题,有利于提高NVRAM的实用性。 |
申请公布号 |
CN103257902B |
申请公布日期 |
2017.02.08 |
申请号 |
CN201310123602.1 |
申请日期 |
2013.04.10 |
申请人 |
深圳市硅格半导体有限公司 |
发明人 |
罗天德;吴大畏 |
分类号 |
G06F11/07(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I;G06F3/06(2006.01)I |
主分类号 |
G06F11/07(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 |
代理人 |
胡海国 |
主权项 |
一种NVRAM控制方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:初始化NVRAM内部数据,读取NVRAM中可被修复的数据,并对读取的可被修复的数据进行修复;将修复后的数据存储至NVRAM的有效地址中;将有效地址的信息进行重组,并存储;在执行所述将有效地址的信息进行重组,并存储的步骤之后还包括:在对NVRAM进行数据写入时,接收到外部传输的数据后获取该外部传输的数据的访问标识并存储;将接收到的数据编码后存入NVRAM的有效地址中;在读取NVRAM内的数据时,接收访问标识,根据访问标识获得与之对应的数据的有效地址信息;根据有效地址信息读取存储在NVRAM的有效地址中的数据信息;对读取到的数据信息进行解码,并输出解码后的数据信息。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新区科技南十二路长虹科技大厦606-608室 |