| 发明名称 | 具有P顶层与N能阶的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有P顶层与N能阶的半导体装置，包括：一P衬底；一高电压N阱，其设置于该P衬底中；一第一P阱，其形成于具有一第一P+掺杂区的该P衬底中；一第二P阱，其形成于具有一第二P+掺杂区的该HVNW中，其中该第二P+掺杂区邻近于一N+掺杂源极区；以及一分离的N能阶及P顶区，其设置于该HVNW中；其中该分离的N能阶及P顶区具有由散布于多个N能阶区段之间的多个P顶区段所定义的一或多层，N能阶及P顶层由序列且分离设置的N型及P型扩散区段所定义。本发明也提供制造此半导体装置的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103972286B | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
| 申请号 | CN201310044236.0 | 申请日期 | 2013.02.04 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 詹景琳;林镇元;林正基;连士进 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一P衬底；一高电压N阱(HVNW)，其设置于该P衬底中；一第一P阱，其形成于具有一第一P+掺杂区的该P衬底中；一第二P阱，其形成于具有一第二P+掺杂区的该高电压N阱中，其中该第二P+掺杂区邻近于一N+掺杂源极区；以及一分离的N能阶及P顶区，其设置于该高电压N阱中，其中该分离的N能阶及P顶区具有由散布于多个N能阶区段之间的多个P顶区段所定义的一或多层，该分离的N能阶及P顶区为块状且互相交叉。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||