| 摘要 |
산소 농도가 9×10atoms/㎤∼16×10atoms/㎤의 범위에 있고, 전위 클러스터 및 COP를 포함하지 않고, 또한 산소 석출 억제 영역을 포함하는 실리콘 웨이퍼에 대하여, 산소 석출물의 밀도를 높게 하기 위한 열처리를 실시하는 예비 열처리 공정과, 예비 열처리 공정 후, 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 에피택셜층을 형성하는 에피택셜층 형성 공정을 포함하는, 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법이다. 이 제조 방법은, 예비 열처리 공정을 실시하기 전의 실리콘 웨이퍼의 산소 석출 억제 영역의 비율에 기초하여, 예비 열처리 공정에서의 열처리 조건을 결정하는 열처리 조건 결정 공정을 추가로 포함한다. 이 제조 방법에 의해, 에피택셜 결함의 밀도가 적고, 웨이퍼의 지름 방향 전역에 걸쳐 게터링(gettering) 능력이 우수한 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 제조할 수 있다. |
