发明名称 LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
摘要 플라즈마 위치에서 플라즈마를 발생시키는 시스템을 포함할 수 있는 디바이스가 개시되고, 이 플라즈마는 플라즈마를 빠져나가는 EUV 방사선, 및 이온을 생성한다. 본 디바이스는 또한 상기 위치로부터 일정거리만큼 떨어져 있는 광학부재(예컨대, 다층 미러), 및 플라즈마와 광학부재 사이에 배치된 유동 가스를 포함할 수 있고, 이 가스는 이온이 광학부재에 도달하기 전에 이온 에너지를 미리 선택된 값 아래로 감소시키도록 상기 거리 d에 걸처 오퍼레이팅하기에 충분한 가스압력을 형성하고, 하나의 실시예에서, 가스는 수소를 포함하고, 특정 실시예에서, 가스는 부피비 50% 초과의 수소를 포함할 수 있다.
申请公布号 KR101703788(B1) 申请公布日期 2017.02.07
申请号 KR20157004339 申请日期 2008.02.01
申请人 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 发明人 비카노프 알렉산더 엔.;바워링 노르베르트 알.;포멘코프 아이고르 브이.;브란트 데이비드 씨.;에르쇼프 알렉산더 아이.;코디킨 올레흐 브이.;파틀로 윌리엄 엔.
分类号 H05G2/00;G03F7/20;H01L21/027 主分类号 H05G2/00
代理机构 代理人
主权项
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