发明名称 APPARATUS OF TREATING PLASMA AND METHOD OF TREATING PLASMA SUBATRATE USING THE SAME
摘要 플라즈마 처리 장치는 기판 지지 유닛, 플라즈마 유닛, 제1 회전 구동 유닛 및 가스 공급부를 포함한다. 상기 기판 지지 유닛은 기판을 지지한다. 상기 플라즈마 유닛은 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마 유닛은 상기 생성된 상기 플라즈마를 상기 기판 측으로 제공한다. 상기 제1 회전 구동 유닛은 상기 플라즈마 유닛과 결합되어 상기 플라즈마 유닛을 상기 기판 지지 유닛에 대해 회전시킨다. 상기 가스 공급부는 상기 플라즈마 유닛 측으로 소오스 가스를 제공한다. 상기 플라즈마 유닛은, 바디, 상기 바디에 내장되는 제1 전극, 상기 바디에 내장되어 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 소오스 가스가 흐르는 배관을 포함한다.
申请公布号 KR20170013484(A) 申请公布日期 2017.02.07
申请号 KR20150106065 申请日期 2015.07.27
申请人 삼성디스플레이 주식회사 发明人 윤영식;정재훈;윤대호;조종환
分类号 H01L21/02;H01L21/683;H05H1/46 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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