| 摘要 |
일부의 실시예들은 메모리 셀들의 블록들과 관련된 장치들 및 방법들에 관한 것이다. 메모리 셀들의 블록들은 메모리 셀들로 이루어진 2개 이상의 서브 블록들을 포함할 수 있다. 이러한 하나의 서브 블록은, 선택 트랜지스터를 포함하는 메모리 셀들의 수직 스트링을 포함할 수 있다. 장치는 서브 블록 비활성화 회로를 포함할 수 있다. 서브 블록 비활성화 회로는 내용 주소화 메모리를 포함할 수 있다. 내용 주소화 메모리는 블록 주소 및 서브 블록 주소를 포함하는 주소를 수신할 수 있다. 수신된 주소가 태깅된 서브 블록과 관련된 블록 주소 및 서브 블록 주소를 포함할 경우, 내용 주소화 메모리는 태깅된 서브 블록을 비활성화하는 신호를 출력할 수 있다. 서브 블록 비활성화 회로는, 그 신호에 기초하여 하나 이상의 선택 트랜지스터들을 구동시키는 복수의 드라이버들을 더 포함할 수 있다. 다른 장치 및 방법들이 설명된다. |
