| 摘要 |
이 실리콘 웨이퍼의 제조 방법은, 실리콘 웨이퍼에 대하여, 산화성 분위기중에서 RTP 처리를 행하는 제1 열처리 공정과, 실리콘 웨이퍼에 있어서, 제1 열처리 공정에서 산소 농도가 증가한 영역을 제거하는 공정과, 이 제거 공정을 실시한 후, 실리콘 웨이퍼에 대하여, 질화성 분위기중, 또는 Ar 분위기중에서, RTP 처리를 행하는 제2 열처리 공정과, 제2 열처리 공정을 실시한 후, 실리콘 웨이퍼에 있어서, 제2 열처리 공정에 의해 산소 농도가 감소한 영역을 제거하는 공정을 갖는다. 이 방법에 의해, OSF핵이나 P영역에 존재하는 산소 석출핵과 같은 잠재적인 결함이 소멸 또는 저감되어 있음과 함께, 게터링 사이트를 갖는 실리콘 웨이퍼를 제조할 수 있다. |
