| 摘要 |
기판을 포함하는 하지층 상에, 레지스트 재료를 포함하는 레지스트층(4)을 형성하는 제1 공정과, 레지스트층(4)을 부분적으로 패터닝하여, 레지스트층(4)에 복수의 개구를 형성하는 제2 공정과, 레지스트층(4) 상 및 레지스트층(4)의 복수의 개구의 내부에 대해, 소스 전극 및 드레인 전극을 구성하는 금속 재료를 포함하는 금속층(5)을 형성하는 제3 공정과, 금속층(5)의 표면 부분이 산화됨으로써 형성된 금속 산화물층(6)을, 세정액을 이용하여 세정 처리함으로써 제거하는 제4 공정과, 제4 공정 후, 상기 세정액과는 다른 용해액을 이용하여 레지스트층(4)을 제거함으로써, 레지스트층(4)의 복수의 개구에 형성된 금속층으로 이루어지는, 소스 전극(7) 및 드레인 전극(8)을 형성하는 제5 공정과, 소스 전극(7) 및 드레인 전극(8)을 덮어, 반도체층(9)을 형성하는 제6 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 트랜지스터의 제조 방법. |
