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发明名称
Thermally controlled Silicon based Terahertz modulator
摘要
본 발명은 테라헤르츠 변조기에 관한 것으로, 실리콘 기판에 기반한 테라헤르츠 변조기이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠 변조기는 제1 실리콘 층, 제1 실리콘 층 상의 산화층, 산화층 상의 제2 실리콘 층 및 제2 실리콘 층 상에 마련된 메타물질로 이루어진 전극층을 포함할 수 있다.
申请公布号
KR101702489(B1)
申请公布日期
2017.02.03
申请号
KR20160000921
申请日期
2016.01.05
申请人
광주과학기술원
发明人
장재형;우정민
分类号
H01P7/08;H03C7/02
主分类号
H01P7/08
代理机构
代理人
主权项
地址
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