| 发明名称 |
半導体装置の作製方法 |
| 摘要 |
【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行い、酸素、酸素及び窒素、又は大気（好ましくは露点−４０℃以下、より好ましくは−５０℃以下）雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びＩ型化した酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置を作製する。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2017028302(A) |
申请公布日期 |
2017.02.02 |
| 申请号 |
JP20160178502 |
申请日期 |
2016.09.13 |
| 申请人 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
发明人 |
細羽 みゆき;坂田 淳一郎;大原 宏樹;山崎 舜平 |
| 分类号 |
H01L21/336;C23C14/58;H01L21/363;H01L21/477;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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