| 摘要 |
【課題】半導体記憶装置の動作電圧及びワード線電圧を製造ばらつきに応じて調整する場合に、半導体記憶装置の動作下限電圧を効率よく求める。【解決手段】コンピュータは、半導体記憶装置の回路情報と、半導体記憶装置の特性ばらつき情報と、半導体記憶装置の動作電圧と、半導体記憶装置のワード線電圧とに基づいて、半導体記憶装置の歩留りを求める（ステップ１００１）。歩留りが所定の条件を満たすワード線電圧が存在する場合、コンピュータは、動作電圧よりも小さな動作電圧範囲を探索範囲に決定する（ステップ１００２）。一方、歩留りが所定の条件を満たすワード線電圧が存在しない場合、コンピュータは、動作電圧よりも大きな動作電圧範囲を探索範囲に決定する。そして、コンピュータは、決定した探索範囲内で動作下限電圧を探索し（ステップ１００３）、探索した動作下限電圧を出力する（ステップ１００４）。【選択図】図１０ |
