13 METHODS FOR DEPOSITING GROUP 13 METAL OR METALLOID NITRIDE FILMS

摘要

본원에는 13족 금속 또는 메탈로이드 니트라이드 막을 형성시키는 방법이 기술된다. 일 양태에서, 반응기에 기판을 제공하는 단계; 반응기에 기판의 표면의 적어도 일부 상에서 반응하여 화학흡착 층(chemisorbed layer)을 제공하는 적어도 하나의 알루미늄 전구체를 도입하는 단계; 반응기를 퍼지 가스로 퍼징하는 단계; 비-수소 함유 질소 플라즈마를 포함하는 플라즈마를 반응기에 도입하여 화학흡착 층의 적어도 일부와 반응하고 적어도 하나의 반응성 사이트를 제공하는 단계로서, 플라즈마가 약 0.01 내지 약 1.5 W/cm범위의 출력 밀도에서 발생되는 단계; 및 임의적으로 반응기를 불활성 가스로 퍼징시키는 단계를 포함하며, 알루미늄 니트라이드 막의 요망되는 두께가 얻어질 때까지 단계들이 반복되는, 알루미늄 니트라이드 막을 형성시키는 방법이 제공된다.