| 摘要 |
본 발명에 따르면, 제1 물질 및 제2 물질을 포함하되, 제1 물질은 실리콘, 몰리브덴, 게르마늄, SiGe 및 텅스텐으로부터 선택되고, 제2 물질은 이산화실리콘 또는 실리콘질화물이며, 가스상 화학적 에칭제에 접촉할 수 있도록 제1 물질의 적어도 한 표면이 노출된 구조물을, 에칭 챔버 내에 위치시키는 단계; 및 불활성 가스 불화물 또는 할로겐 불화물의 가스상 화학적 에칭제로 제1 물질을 에칭하는 단계;를 포함하고, 수증기의 존재 하에서 제1 물질을 에칭하는 단계가 수행되도록 에칭 챔버를 수증기에 노출시키는 단계를 추가로 포함하는, 구조물의 드라이 가스상 화학적 에칭 방법이 제공된다. |
